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一、中微公司的崛起之路
（一）公司简介中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称 “中微公司”，证券代码 “688012”）成立于 2004 年，是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司，总部位于上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。其所处行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，主要致力于为集成电路和泛半导体行业提供极具竞争力的高端设备以及高品质的服务。
中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备，是制造各种微观器件的关键设备，能够加工微米级和纳米级的各类器件，而这些微观器件恰是现代数码产业的基石，正逐步改变着人类的生产与生活方式。公司业务涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 生产、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域，产品涵盖电容性等离子体刻蚀设备、电感性等离子体刻蚀设备、MOCVD 设备、VOC 设备等，其等离子体刻蚀设备已在台积电、中芯国际、海力士、长江存储、格罗方德、博世、意法半导体等国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米的集成电路加工制造及先进封装中有具体应用，MOCVD 设备也在三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等行业领先客户的生产线上大规模投入量产，使公司成为世界排名前列、国内占领先地位的氮化镓基 LED 设备制造商。
（二）发展历程回顾2004 年，中微公司在张江高科技园区启动运营，当时企业类型为非公司外商投资企业（外商合资），注册资本 2000.0000 万美元，法定代表人为 AIHUA CHEN。到了 2004 年 11 月 2 日，企业类型变更为有限责任公司（中外合作），法定代表人变更为尹志尧，注册资本（金）变更为 2605.0000 万美元。
2007 年，首台 CCP 刻蚀设备产品研制成功，并运往国内客户，这无疑是公司发展路上的一个重要里程碑，意味着中微公司在相关技术研发和产品落地方面取得了实质性突破。此后，公司在技术研发上不断深耕，2011 年研制出 45 纳米介质刻蚀设备，2013 年 22 纳米介质刻蚀设备研制成功，2014 年成为第一家获得 “大基金” 投资的企业，这得益于《国家集成电路产业发展推进纲要》的发布，为公司后续的研发和拓展提供了有力的资金支持。
2015 年 12 月 25 日开始，中微公司的企业类型又经历了多次变更，先后变更为有限责任公司（中外合作）、有限责任公司（外国法人独资）、有限责任公司（中外合资）、股份有限公司（中外合资、未上市）、股份有限公司（中外合资、上市）等。
在知识产权保护方面，中微公司也有着亮眼的表现。2018 年年初，美方涉嫌侵犯中微公司专利权的设备即将从上海浦东国际机场进口，公司随即向上海海关提出扣留侵权嫌疑货物的申请，上海海关及时启动知识产权海关保护程序，暂停涉嫌侵权设备的通关，最终双方达成全球范围相互授权的和解协议，这凸显了中微公司对自身知识产权保护的重视以及在国际知识产权领域捍卫自身权益的能力。
产品研发成果上，2016 年首台单反应台 ICP 刻蚀设备产品研制成功并运往国内客户，同年首台第二代 MOCVD 设备产品也研制成功并运往国内客户，还有首台 VOC 设备产品研制成功并运往国内客户以及 14 纳米介质刻蚀设备研制成功等，这些成果不断丰富着公司的产品线，提升了公司在行业内的竞争力。
2017 年，中微第 100 台 MOCVD Prismo A7® 反应腔付运，刻蚀设备进入国际先进 7 纳米生产线，首台双反应台 ICP 刻蚀设备产品研制成功，这些成果进一步巩固了中微公司在半导体设备领域的地位。
2019 年，中微公司成为科创板首批上市公司之一，并且在美国 VLSIresearch 举办的全球客户满意度调查中连续排名前列，综合评分全球第三，还是五个被评为五星级企业之一，这是市场对中微公司产品与服务高度认可的有力证明。
此后，中微公司继续砥砺前行，2021 年第 1500 个 CCP 刻蚀设备反应台顺利付运，完成再融资发行，共募资 82 亿元，还发布用于高性能 Mini-LED 量产的 MOCVD 设备 Prismo UniMax®，首台 8 英寸 CCP 刻蚀设备 Primo AD-RIE 200™顺利付运等。
截至 2024 年 6 月，公司累计申请专利已达 2648 项，已获授权专利 1670 项，其中发明专利占比高达 85.87%，两次荣获 “中国专利金奖”，多次荣获 “中国专利优秀奖”“上海市发明创造专利奖” 和 “上海市知识产权创新奖” 等奖项，彰显了公司强大的创新能力和对知识产权的高度重视。同时，从业务拓展来看，公司的市场范围不断扩大，客户群体日益增多，足迹遍布全球多个地区，为全球众多客户提供现场支持，逐步成长为国际半导体微观加工设备产业中极具竞争力的企业。
二、勇夺 110 亿订单的实力根基
（一）核心技术优势1. 等离子体刻蚀设备中微公司在等离子体刻蚀设备方面有着深厚的技术沉淀与卓越的研发成果。其开发出了多种型号的等离子体刻蚀设备，覆盖范围极广，比如能够满足 5 纳米以下器件制造需求，已成功应用于 128 层及以上的量产。在逻辑集成电路制造领域，公司的 12 英寸高端刻蚀设备已被国际知名客户采用在最先进的生产线上，并在 5 纳米、5 纳米以下器件的关键步骤中发挥作用。同时，在 3D NAND 芯片制造领域，该等离子体刻蚀设备也已经投入 128 层及以上的量产，还正在研发极高深宽比的刻蚀设备和工艺，以满足存储器件客户的需求。
此外，中微公司在等离子体刻蚀技术上不断推陈出新，2024 年 11 月申请的名为 “一种等离子体刻蚀方法和刻蚀装置” 的专利，更是标志着半导体制造技术的又一重要进展。这项专利提出的新颖等离子体刻蚀工艺，能通过多个步骤在等离子体处理腔内实现高精度刻蚀，让刻蚀深度可以被精确控制在刻蚀材料层的 70% 至 98% 之间，确保了半导体器件在生产中的可靠性和可重复性，有助于满足当前市场对高性能半导体器件日益增长的需求，尤其契合高端应用领域如人工智能、5G 通讯及量子计算等方面的要求。凭借这些先进的等离子体刻蚀设备及其不断革新的技术，中微公司在国际一线客户的制造中占据了重要地位，在市场上极具竞争力。
2. MOCVD 设备中微公司在 MOCVD 设备领域积累了丰富的技术经验，有着深厚的底蕴。2013 年发布的第一代 MOCVD 设备 PRISMO D-BLUE®，以较高的灵活性和生产效率、优异的性能以及简便易行的设备维护等优势，快速获得了客户的认可和信任。2016 年推出的第二代 MOCVD 设备 PRISMO A7®，在 PRISMO D-BLUE 的基础上增加了新特征，进一步提升了生产效率和加工性能，并应用于国内众多领先的 LED 生产线。
而其自主知识产权的 MOCVD 设备 PRISMO HiT3® 更是一大亮点，它是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，反应腔最高温度可达 1400 度，具有优异的工艺重复性、均匀性和低缺陷率，且为高产量而设计，单炉可生长 18 片 2 英寸外延晶片，并可延伸到生长 4 英寸晶片。后续推出的 Prismo UniMaxTM MOCVD 设备，是中微公司 Prismo 系列的最新产品，在同一系统中可配备多达 4 个反应腔，配置了创新的多区温度补偿加热系统，具备优异的波长均匀性、重复性和稳定性，还有如喷淋头的优化设计实现更好的均匀性和产出稳定性、超大直径石墨托盘可大幅提升产能并降低成本等新颖特征，专为高性能 Mini LED 量产设计，已收到来自国内领先客户的订单。正是凭借各代产品出色的特点与性能优势，中微公司在全球氮化镓基 LED MOCVD 设备市场占据了领先地位。
3. 其他关键设备与技术中微公司除了在等离子体刻蚀设备和 MOCVD 设备方面表现优异外，在其他自主研发设备上也成绩斐然。例如薄膜设备中的 12 英寸 CVD 金属钨设备 Preforma Uniflex™CW，它可灵活配置多达五个双反应台的反应腔，每个反应腔皆能同时加工两片晶圆，在保证较低的生产成本和化学品消耗的同时，实现较高的生产效率。它配备了完全拥有自主知识产权的优化混气方案，自主设计优化的分气抽气系统和真空卡盘，具备优秀的薄膜均一性、填充能力和工艺调节灵活性，对于弯曲度较大的晶圆也能有良好的工艺处理能力，其优异的阶梯覆盖率和填充能力，可以满足先进逻辑器件、DRAM 和 3D NAND 中接触孔以及金属钨线的填充应用需求。
此外，2024 年 5 月公司又推出自主研发的 12 英寸高深宽比金属钨沉积设备 Preforma Uniflex® HW 以及 12 英寸原子层金属钨沉积设备 Preforma Uniflex® AW。Preforma Uniflex® HW 设备继承前代优点，可灵活配置多达五个双反应台的反应腔，每个反应腔能同时加工两片晶圆，采用拥有完全自主知识产权的生长梯度抑制工艺，实现表面从钝化主导到刻蚀主导的精准工艺调控，搭配相关系统使设备具备优异的薄膜均一性和工艺调节灵活性；Preforma Uniflex® AW 设备可配置五个双反应台反应腔，提高设备生产效率，采用拥有完全自主知识产权的高速气体切换控制系统，实现精准的原子级别生长，所生长的膜层具备优异的台阶覆盖率和低杂质浓度等优点，还引入独特气体输送系统提升性能，具备更先进技术节点的延展能力。
目前，中微公司在研项目涵盖六类、20 多种新设备，这种全面的技术布局彰显了其强大的创新能力，也为其在半导体及泛半导体行业持续开拓市场、获取订单奠定了坚实基础，使其能够更好地满足不同客户多样化的需求，在行业内保持领先优势。
（二）研发投入与创新决心中微公司对研发始终高度重视，将其视为企业发展的核心驱动力。从近年的数据来看，研发投入呈现出持续增长的态势。例如 2024 年上半年公司研发投入 9.70 亿元，同比大幅增长 110.84%，研发费用实现翻倍。2024 年前三季度，研发支出较去年同期增长约 95.99%，研发支出占公司营业收入比例约为 28.03%，远高于科创板均值。
如此高额且不断攀升的研发投入，转化成为了实实在在的技术优势。众多先进技术成果涌现，像等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，CCP 和 ICP 刻蚀设备的销售增长以及在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升；新产品 LPCVD 设备也实现首台销售并开始启动放量。正是持续的研发投入让中微公司的技术不断精进，产品不断升级优化，进而强有力地支撑了其在市场中获取大量订单的能力，使其在激烈的行业竞争中脱颖而出，向着更高的目标迈进。
（三）优秀的人才与管理机制中微公司的发展离不开优秀的人才与良好的管理机制。公司创始人尹志尧博士是行业内极具影响力的人物，他早年前往美国留学，掌握了大量先进的芯片技术。2004 年，60 岁的尹志尧毅然放弃美国的高薪待遇，突破重重阻碍，带领 30 人的团队回国创业，创立了中微半导体。他带回的不仅是顶尖技术，更是一颗为祖国半导体事业奉献的决心，为我国芯片发展提供了突出贡献。
在人才管理方面，中微公司有着完善且极具激励性的制度。这使得公司汇聚了众多行业内的优秀人才，目前拥有 380 多名研发人员，他们为了我国的半导体产业发展都作出了不少的努力。公司的人均创收、创利达到国际水准，充分展现出了良好人才管理机制对企业发展的助力作用。正是凭借优秀的人才队伍以及合理有效的管理机制，中微公司得以在技术研发、产品生产、市场拓展等各个环节高效运转，为勇夺 110 亿订单这样的亮眼成绩奠定了坚实的人力基础与组织保障。
三、110 亿订单背后的市场机遇
（一）行业大环境向好近年来，我国半导体行业展现出蓬勃的发展态势，从出口数据来看成绩尤为亮眼。据海关总署发布的数据显示，前 11 个月我国集成电路出口达 1.03 万亿元，成功突破万亿元大关，且同比增长 20.3%。这一数据充分彰显了我国半导体产业在全球市场中的影响力正日益增强，也意味着当下整个半导体行业正处于高景气周期之中。
而在这背后，人工智能技术的飞速发展起到了极大的推动作用。如今，AI 已经渗透到众多领域，无论是机器学习、深度学习，还是自然语言处理等方面都取得了显著成果。随着人工智能应用场景的不断拓展，对于芯片及相关设备的需求也呈现出爆发式增长。高性能的芯片成为了实现强大算力、处理海量数据的关键基础，这使得芯片制造环节中各类设备，包括中微公司所专注的刻蚀设备等，都迎来了更大的市场机遇。像中微公司的等离子体刻蚀设备，能够满足 5 纳米以下器件制造需求，已成功应用于 128 层及以上的量产，并且在逻辑集成电路制造领域，其 12 英寸高端刻蚀设备已被国际知名客户采用在最先进的生产线上，在 5 纳米、5 纳米以下器件的关键步骤中发挥重要作用。在这样的行业大环境下，市场对高端半导体设备的强劲需求，无疑成为了中微公司勇夺 110 亿订单的有力助推器。
（二）国产替代浪潮当前，国内半导体设备国产化的需求愈发迫切，这已然成为了行业发展的重要趋势。以长江存储为例，在遭遇美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，长江存储并未退缩，反而加速了国产替代的步伐，成功实现了对美国部分设备的替代。其自主研发的 Xtacking 架构，使得 3D NAND 技术能够实现 232 层的堆叠，展现出强大的技术实力。并且长江存储充分利用了国内半导体设备制造商的先进技术，采用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备等，成功生产出了 3D NAND 闪存芯片。
在这一国产替代的进程中，中微公司扮演着举足轻重的角色。刻蚀设备作为半导体制造工艺中的关键设备之一，其国产化率的提升对于打破国外技术垄断、实现产业链自主可控意义重大。中微公司凭借深厚的技术积累以及持续的研发创新，不断提升产品性能和品质，其刻蚀设备在国内众多芯片制造企业中得到了广泛应用，逐步提高了在国内市场的占有率，有力地推动了刻蚀设备国产化的进程。正是这一国产替代的大趋势，为中微公司带来了更多的订单机会，促进了其订单量的显著增长，成为其斩获 110 亿订单的重要支撑因素。
四、订单增长带来的深远影响
（一）产能扩充与布局为了满足激增的订单需求，中微公司在产能扩充方面下足了功夫。2022 年以来，公司就不断扩大资产规模，相继在南昌、上海临港等多地投建生产和研发基地。2024 年前三季度，公司共生产专用设备 1160 台，同比大增 310%，对应产值 94.19 亿元，同比增长 287%。
据行业预计，到 2025 年，中微公司的厂房面积将扩大 15 倍，从当前的规模达到近 45 万平方米，这将为后续大规模出货奠定坚实基础。届时，无论是生产的设备数量还是整体的产能输出，都有望实现大幅度的提升，能够更好地应对市场上源源不断的订单，进一步保障公司在半导体设备供应方面的稳定性和高效性，巩固其在行业内的优势地位。
（二）盈利前景展望尽管中微公司 2024 年前三季度净利润同比减少 21.28%，但其盈利能力依然强劲，公司和北方华创的毛利率几乎维持在 40% 以上，远超同行。目前，随着大量订单的逐步兑现，未来利润回升是可以期待的。
同时，近年来公司的存货水平不断提高，2024 年三季度已突破 78.22 亿元，比 2023 年底大增 84%。不过这并非坏事，反而可以看作是对未来需求的积极准备。随着订单的激增，这些充足的存货将以近 43% 的高毛利出售，这意味着公司后续的盈利前景十分可观，此次大规模的订单增长对于中微公司长期的盈利表现和持续发展有着极为重要的推动作用，也让市场对其未来的财务状况充满了信心。
（三）行业地位巩固与提升中微公司本就是我国刻蚀设备和 MOCVD 设备的双龙头企业，凭借此次勇夺 110 亿订单的亮眼成绩，在半导体设备市场进一步巩固了其领先地位。在国际半导体微观加工设备产业格局中，中微公司的影响力也与日俱增，其先进的设备产品在全球众多一线客户的生产线中都发挥着关键作用，比如等离子体刻蚀设备已在台积电、中芯国际等国际知名企业从 65 纳米到 5 纳米以及更先进的制造工艺中有着广泛应用。